SK hynix presenta iHBM de enfriamiento para la próxima generación de HBM
SK hynix desveló iHBM, una tecnología de enfriamiento de próxima generación para memorias de alto ancho de banda que integra un elemento de enfriamiento integrado (ICE) dentro del paquete HBM y lo ubica en la zona D2D PHY donde más se concentra el calor. La compañía afirma que iHBM reduce la resistencia térmica en más de un 30% frente a modelos existentes, mientras utiliza un proceso WLP basado en MR-MUF avanzado ya validado en el mercado, lo que respalda una fabricación en volumen estable y una alta compatibilidad de diseño SiP. SK hynix planea aplicar iHBM a productos de próxima generación como HBM5, con el objetivo de mejorar la gestión térmica para centros de datos de IA y entornos de computación de alto rendimiento.
iHBM reduce la resistencia térmica del paquete HBM en más de un 30 por ciento
Contexto
HBM se ha calentado a medida que aumentaron el apilamiento y las velocidades. Los centros…
El análisis completo
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